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National Semiconductor Corporation
المجال: Semiconductors
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
ヘッダーを参照してください。
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多くの同時にウェハー蒸着。ウェハ蒸着 (メタライゼーション) チャンバの収容数はウェハ拡散室収容数よりも少ないのでいくつかメタライゼーション同一のウエハーを実行することも可能です。
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金属または他の材料、半導体デバイス、通常不検出に光学倍率を使用しての内で非常に小さな亀裂。メタライゼーション領域でマイクロク ラックは、最も一般的コンタクトの段差で発生します。マイクロク ラックは、回路の不連続性につながることができます。
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長さの単位。106µ = 1 メートル (メートル)。[メモ: 長さのシンボルとして µ µ µ A (アンペア) または µ V ローパワー) などの単位を示すために、プレフィックスとして使用されると混同しないでください。ミクロンは 1 μ m です。
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移転やにや隣接する他の材料の間で物理的な材料の動き。(エレクトロマイグレーションを参照)。
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Nonpredominant モバイルにおける電荷キャリア (電子 P-領域、多数キャリアの穴になる) など半導体。
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過酷な環境条件の下で生き残るためにこれらのデバイスの能力を決定する高湿度および温度応力のサイクルをサンプル ・ デバイスの隷属これは通常 24 時間の期間の 10 サイクル サンプル単位で実行されます。
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エポキシまたは成形化合物は、それはない内部の空洞の代替に完全にカプセル化されているデバイス。
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単一のダイスまたはチップに含まれているその回路が完了すると、デバイス。
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MSI デバイスは 100 未満の 12 以上のゲート同等を含んでいるものが一般に認められます。(LSI を参照)。
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