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National Semiconductor Corporation
المجال: Semiconductors
Number of terms: 2987
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
デバイス構造のレントゲン解析。これは、あまり有用な方法アルミニウム ・ ボンディング ・ ワイヤを持つデバイスのみダイ ・ アタッチし、シールの欠陥を評価することができますのでです。金ワイヤを持つデバイスのようにダメージをワイヤ遠心分離などの他のテストと同様ほとんどのアセンブリの中に欠陥を検出することができますより貴重な画面です。
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ハイブリッド車とボードの両方の構造で使用されるリードレス パッケージ。チップ ・ キャリアはフラット パックと同様のボディ構成が従来のリードではなく、パッケージ ベースの接触によって電気的接続が行われました。
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電気的な装置と機械的に総人口の割合として表される、該当する仕様の範囲内の合計数です。
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ポスト アセンブリ 100 % 電気並べ替えテスト;MIL-STD-883 で定義されている製品保証クラスと混同されないため
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MIL-STD-883 あたりは予想されるデバイスの信頼性の別のレベルを表す 2 つの製品保証クラス: エアボーン機器; のために意図されているクラス Bクラス S、宇宙飛行のために意図されています。
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粒子数を参照してください。
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1 人の顧客のための 1 つの特定のアプリケーション用に設計された集積回路。ゲート ・ アレイなど、セミカスタム ・ デバイスの成長と ASIC を支持してこの用語を破棄されています。
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金属のメタライゼーション ・ ストライプ、連絡先ウィンドウに入るポイントに最も近い連絡先ウィンドウの上の部分。
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デバイス メタライゼーション内断面積の単位当たりの現在の流れの量。たとえば、1 mA の電流が流れるは広い 3 メタライゼーション ・ ストライプと厚さ 1 0.33 x 105/cm 2 の電流密度になります。
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データ デバイスは、すべての測定値が正しく実行されることを確実に読み取り-記録されたされている後、すべての拒否の分析と確認がロットから削除されました。
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