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National Semiconductor Corporation
المجال: Semiconductors
Number of terms: 2987
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Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
シリコンウエハの表面上の半導体素子の製造というプロセス。
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ガラス シール付きセラミック フラット パッケージ。(従来の金属フラット パッケージとボトム ・ ブレーズ フラット パックあるはんだシール)
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メタライゼーションを含むすべての処理ステップで処理ウェーハの単一ロット。ウェーハ実行可能性があります 1 つ以上のデバイスの種類、場所、さまざまなデバイスの種類だけが異なる採用メタライゼーション ・ パターンで構成されます。
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すべての該当する仕様の多くの材料すべて準拠していることを確認するために材料の多くを調達活動を製造元の QA 部門によって提供される証明書。
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クラス S デバイスの組立は受け入れを決定する、集積回路のウェハ ・ ロットのテスト。
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一括ドーピングから予想される種類の反対の表面伝導の領域。チャンネルは表面のイオン汚染によって意図せず生じることがあります。チャネル (P または N) の種類は多数キャリア チャネルに導入の型によって決まります。
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超音波ボンディング (ただし、ステッチ接合時折くさび結合も呼ばれる) を参照してください。
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電気検査パラメトリック制限および/または一般的なデバイスのパフォーマンス特性を決定するため。
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半導体デバイスのシール (通常金属 can デバイスの採用) 金属パッケージに金属のふたを溶接によって達成されます。
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電子または穴などのソリッドステート デバイスの結晶内電荷のキャリア。
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