- المجال: Semiconductors
- Number of terms: 2987
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
Banyak metalisasi wafer pada waktu yang sama. Karena jumlah wafer diakomodasi oleh penguapan suatu (yaitu, metalisasi) ruang sering kurang dari jumlah wafer diakomodasi oleh ruang difusi, adalah mungkin untuk memiliki beberapa berjalan metalisasi yang berasal dari jangka wafer yang sama.
Industry:Semiconductors
Sebuah celah yang sangat kecil dalam logam atau bahan lain dari perangkat semikonduktor, biasanya tidak terdeteksi dengan menggunakan perbesaran optik. Di daerah metalisasi, microcracks paling biasanya terjadi pada langkah kontak. Microcracks dapat menyebabkan diskontinuitas dalam sirkuit.
Industry:Semiconductors
Sebuah unit panjang. 106μ = 1 m (meter). [Catatan: μ sebagai simbol panjang tidak harus bingung dengan μ digunakan sebagai awalan untuk menunjukkan microunits, seperti μA (microamps) atau μV microvolts). Mikron adalah satu mikrometer.]
Industry:Semiconductors
Biaya operator nonpredominant mobile di semikonduktor (seperti elektron di daerah P-, di mana pembawa mayoritas akan lubang).
Industry:Semiconductors
Sebuah perangkat yang benar-benar dirumuskan dalam epoxy atau senyawa cetak alternatif, yaitu, dengan tidak ada rongga internal.
Industry:Semiconductors
Perangkat MSI umumnya diterima adalah mereka yang mengandung 12 atau lebih setara gerbang, tapi kurang dari 100. (Lihat LSI.)
Industry:Semiconductors
Rata-rata jumlah jam operasi setelah perangkat telah gagal yang akan lulus sebelum kegagalan perangkat berikutnya akan diharapkan terjadi.
Industry:Semiconductors
Metalisasi dibentuk melalui pengendapan dari beberapa lapisan logam yang berbeda untuk membentuk garis metalisasi tunggal pada permukaan perangkat.
Industry:Semiconductors
Metalisasi dibentuk melalui pengendapan dari beberapa lapisan logam dengan dielektrik (seperti Si02) memisahkan berbagai tingkat kecuali tingkat interkoneksi diperlukan.
Industry:Semiconductors
Sebuah proses di mana MOS MOS transistor dibentuk dengan menjembatani dua yang berdekatan tipe N diffusions (sumber dan tiriskan) dengan dielektrik (gerbang). Ketika sumber dan substrat didasarkan dan tegangan positif diterapkan ke pintu gerbang, selembar konduktif muatan negatif (N-saluran) yang dibuat di permukaan substrat di bawah dielektrik.
Industry:Semiconductors
